STOCKAGE

Les modules SDRAM DDR4 haute vitesse utilisent des périphériques SDRAM DDR4 avec deux ou quatre groupes de banques de mémoire interne. Les modules DDR4 SDRAM utilisant des périphériques DDR4 SDRAM de 4 et 8 bits de large ont quatre groupes de banques internes composés de quatre banques de mémoire chacun, fournissant un total de 16 banques. Les périphériques SDRAM DDR4 de 16 bits de large ont deux groupes de banques internes composés de quatre banques de mémoire chacun, fournissant un total de huit banques. Les modules SDRAM DDR4 bénéficient de l’utilisation par la SDRAM DDR4 d’une architecture de prélecture 8n avec une interface conçue pour transférer deux mots de données par cycle d’horloge au niveau des broches d’E / S. Une seule opération LECTURE ou ÉCRITURE pour la DDR4 SDRAM consiste en fait en un seul transfert de données de 8n bits de largeur, quatre heures au cœur de la DRAM interne et de huit transferts de données correspondants de largeur n bits et d’un demi-cycle d’horloge à les broches d’E / S.
Les modules DDR4 utilisent deux ensembles de signaux différentiels: DQS_t et DQS_c pour capturer les données et CK_t et CK_cto pour capturer les commandes, les adresses et les signaux de contrôle. Les horloges différentielles et les stroboscopes de données assurent une immunité exceptionnelle au bruit pour ces signaux et fournissent des points de croisement précis pour capturer les signaux d’entrée.